三星 LPDDR6 内存规格揭晓：10.7nm 速度为 12Gbps;据报道，着眼于 14 Gbps 作者： 时间：2025-11-13 来源： 
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随着三星推进其 HBM4 时间表，它也在下一代 DRAM 方面取得了长足的进步。CES和三星的新闻稿显示，其 LPDDR6 被评为 2026 年移动设备、配件和应用程序类别创新奖获奖者。新公布的规格特别指出，12 纳米设计可提供 10.7Gbps 数据速率和扩展的 I/O 以实现更高带宽——专为数据密集型移动、边缘和设备上的 AI 工作负载而构建。
TechPor:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫erUp援引三星的话报道称，LPDDR6 的能效比 LPDDR5X 提高了 21%，与其带宽和速度相匹配，同时功耗减少了约五分之一。该媒体还指出，未来的 LPDDR6 版本可能会攀升至 14 Gbps，甚至超过最快的超频LPDDR5X。正如报告所强调的那样，三星的调谐LPDDR5X已经达到 10.7 Gbps，有效地为 LPDDR6 奠定了起跑线。
报告补充说，更多细节应该会在即将到来的 2026 年 CES 上公布，三星计划在会上演示运行新内存的设备并详细介绍其主要功能。
据三星称，LPDDR6 还带来了更强大的安全功能来保护数据完整性，将其用例推向移动之外的工业和关键任务 AI 应用。
内存巨头的 LPDDR6 路线图
三星并不是唯一一家为 LPDDR6 做准备的公司。Wccftech援引 SK 海力士的路线图报道称，该公司正在推出广泛的 DRAM——从标准 LPDDR6 到以 AI 为中心的“AI-D”解决方案，如 LPDDR5X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R 和第二代 CXL LPDDR6-PIM。报告称，SK 海力士的 LPDDR6 预计将于 2026 年推出，而 DDR6 可能会在 2029 年至 2031 年之间上市。
美光尚未提供 LPDDR6 的详细时间，但据报道，在 6 月份的财报电话会议上，该公司标志着一个关键的里程碑：根据Tom s Hardr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫are的说法，基于 1γ 的 LPDDR5 DRAM 的首次合格样品出货。报告补充说，1γ 工艺（美光的第 6 代 10nm 级节点）比 1β 功耗降低 20%，性能提高 15%，位密度提高 30%，一旦良率稳定，就有可能降低生产成本。
